李泽宏教授一直从事功率器件和功率集成电路的研究，并作为主研进行了国家自然科学基金、重点实验室基金、装备发展部预研项目和国家863计划信息技术领域超大规模集成电路设计专项等多个项目的研究，发表多篇内容精辟的学术论文。
       此次李教授主要围绕功率MOSFET、Rectifier、IGBT和SiC器件的基本结构及相关知识展开，重点对MOSFET新型器件的结构设计、特性描述、工艺方法和未来趋势进行了详细解读。就特微电子现有功率MOS型号进行了剖析，以及如何在现有产线条件下扩大产品种类，给出了宝贵的建议。李教授深入浅出、通俗易懂的讲解风格，令所有参训人员受益匪浅。大家积极互动，就很多热点问题和困惑之处发表了自己的见解和观点。